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美国政府最终决定向正在美国建设大规模半导体生产设施的三星电子支付47.45亿美元（约6.9万亿韩元）补助金，比当初公布的金额减少26%。
20日，美国商务部表示，继签署预备交易备忘录和完成部门层面的实地调查后，将根据《半导体法》直接向三星电子支付上述补助金。
商务部解释说，三星将在今后数年内投资370亿美元（约53.6万亿韩元），用于支援位于德克萨斯州中部的目前的半导体生产设施成为美国国内尖端半导体开发及生产的综合生态系统。
美国商务部长吉娜•拉蒙多在声明中表示:”通过此次对三星的投资,美国成为世界五大最尖端半导体制造企业全部进军的唯一国家”,”这将保障人工智能(AI)和国家安保所必需的最尖端半导体的稳定国内供应,同时还将创造数万个优质工作岗位”
三星电子此次获得的补助金比双方今年4月签署预备交易备忘录(PMT)时发表的64亿美元(约9.2万亿韩元)减少了约26%。 此前，三星电子在今年4月签署该协议时，曾计划在美国德克萨斯州泰勒市投资170亿美元（约合24.6万亿韩元），扩大正在建设的半导体工厂的规模和投资对象，到2030年为止投资440亿美元以上。
据分析,此次补助金减少是因为三星电子的半导体投资额本身减少。 当初三星电子决定投资440亿美元，得到64亿美元的补助金，但是在协商过程中最终将投资规模降低到了370亿美元。 业界相关人士表示:”为了有效执行全球投资,部分中长期投资计划发生了变动,因此补助金也减少了。”
三星电子已经确保了对京畿道平泽校区、器兴NRD-K等包括代工(半导体委托生产)和尖端包装在内的生产工厂的充分生产能力。 特别是,三星电子计划到2030年为止,向明年中旬正式启动的器兴NRD-K投资20万亿韩元。 在这里,三星电子计划加快存储器、系统、代工等半导体全领域的技术研究及产品开发。 此外,还计划从2030年开始在龙仁国家产业园区启动尖端系统半导体生产线。
虽然三星电子获得的补助金有所减少,但补助金占总投资金额的比重约为12.8%,比其他企业要高。 此前,商务部确定向美国英特尔支付最高78.65亿美元,台湾TSMC支付66亿美元,美国美光支付61.65亿美元。 从比重来看,TSMC(10.2%)、英特尔(7.8%)、美光(4.9%)等。
三星电子从2022年开始推进了在德克萨斯州泰勒市正在建设的半导体生产工厂追加建设新半导体工厂、新建包装设施和尖端研究开发(R&D)设施的方案。
